水深航道漂浮浮標警示航標

SOI名為Silicon On Insulator，是硅晶體管結構在緣體之上的意思，原理就是在硅晶體管之間，加入緣體物質，可使兩者之間的寄生電容比原來的少上倍。點是可以較易提升時脈，并減少電流漏電成為電的IC，在工藝上還可以略部分光掩模以節(jié)成本，因此不論在工藝上或是電路上都有其勢。此外，在SOI晶圓（SOI wafer）本身襯底的阻值的部分也會影響到元件的表現，因此后來也有公司在襯底上進行阻值的調整，達到射頻元件（Radio frequency component、RF component）性的提升。原本應通過交換器的電子，有些會鉆入硅中造成浪費；SOI可止電子流失，與補強些原本Bulk wafer中CMOS元件的缺點。摩托羅拉宣稱中央理器可因此提升時脈20%，并減低耗電30%。除此之外，還可以減少些有害的電氣應。還有點，可以說是很多頻玩所感興趣的，那就是它的工作溫度可高達300°C，減少過熱的問題。

水深航道漂浮浮標警示航標

亦稱布標船。用于布設和維護航標的基地勤務船。有的還可兼用于海道測量、海洋水文地質調查等。按作業(yè)區(qū)域，分為沿岸航標船和江河航標船。滿載排水量100~2000 t，航速10~15 kn，續(xù)航力500~4000 n mile，自持力8~50晝夜。通常在甲板上設有起吊航標用的起重機和絞盤1~2臺，起吊能力1.5~12t;甲板下設有航標艙，可載運航標4~10個

生物流變學研究人體或其他動植物中有關的流體力學問題，例如血液在血管中的流動，心、肺、腎中的生理流體運動和植物中營養(yǎng)液的輸送。此外，還研究鳥類在空中的飛翔，動物在水中的游動，等等。

門前左右角樓為鳴金、奏樂和瞭望，東西兩側是轅門。整個建筑飛檐畫棟，雄偉壯觀。其興建于1888年(光緒十四年)。占地面積近1萬平方米，"傍海修筑，高距危巖，下臨地，飛甍廣廈，輪奐美焉"。其平面呈長方，主體建筑分前后三棟，三進院落。

因此，流體力學既包含自然的基礎理論，又涉及工程技術方面的應用。此外，如從流體作用力的角度，則可分為流體靜力學、流體運動學和流體動力學;從對不同"力學模型"的研究來分，則有理想流體動力學、粘性流體動力學、不可壓縮流體動力學、可壓縮流體動力學和非牛頓流體力學等。